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猎豹彩票APP & 复芯微电子专题讲座——透过形变沟渠技术以提升器件驱动电流案例分享

作者: 发布日期:2013年3月8日 星期五

 

猎豹彩票APP & 复芯微电子专题讲座
——透过形变沟渠技术以提升器件驱动电流案例分享
(Strained channel Technology for boosting drive current)
 
讲座简介
       器件是集成电路的核心,欲提升集成电路的效能则须将器件的驱动电流提高。目前的做法是将器件的沟渠长度降低以达到器件的驱动电流提高的目标。但由于微电子工业进展快速,使得目前的微缩遇到很多的瓶颈。因此,人们必须想出其它办法来完成电流提升;其中以形变沟渠(strained channel)器件最为有效率。
       本讲座主要介绍如何透过简易的形变沟渠技术,在不改变沟渠长度的前提下,大幅提升器件电流,进而改善集成电路的操作速度,以纾缓微缩的诸多压力。除了简单介绍原理外,还将一些现今世界大厂所使用的方法。对于器件相关的工程师来说本讲座可以带来很多实用的观念及技巧。
 
邀请对象
       从事集成电路器件设计、工艺研发、制造、品管、设备研发、材料、研究单位以及对此课题有兴趣等相关人员。
 
    间:2013年3月14日(周四) 14:00-16:00
    点:上海浦东张江碧波路500号B209室(猎豹彩票APP)
席 位 费:100元/人
主办单位:上海复芯微电子技术咨询有限公司
    师:简昭欣 博士
 
注:若与会者报名参加简昭欣博士开设的2013年技术公开课程(上海班),将退还本次讲座的席位费;
        公司团体报名(20人以上)可开发票,但不享受退还政策。
   
师资介绍
Education:  中国台湾交通大学电子工程博士
Experience: 复芯微电子专聘讲师
台积电先进制程首席培训讲师
中国台湾交大电子工程系教授
中国台湾国家纳米器件实验室研究员
中国台湾国家纳米器件实验室薄膜掺杂组组长
 
Specializations先进纳米器件栅极工程研究
硅锗器件
非挥发性快闪记忆体
薄膜掺杂制程技术
课程大纲
Ø        Introduction of Strain
Ø        Why can we boost drive current by strained channel technique
Ø        Concept of Piezo-resistance
Ø        Understanding of Strained Channel via Biaxial Strain Technique
Ø        Modern Uniaxial strained Channel Techniques
                   Contact Etch Stop Layer (CESL)
                   SiGe Source/ Drain
                   Stress Memorization Technique (SMT)
                   SiC Source/Drain
                   Metal Gate & Source/Drain
Ø        Summary
 
       各位在看过此课程通知后,如有意向,请在2013年3月12日前将课程确认回执发给本课程联系人。本次讲座我们特别设立提问环节,大家可以先想好问题,以便我们可以更好为大家服务。

讲 座 确 认 回 执
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姓名
联系电话
E-Mail
透过形变沟渠技术以提升器件驱动电流案例分享
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
课程联系人:
行业协会:袁老师                     复芯微电子:张岚 / 李诚洁   
联系方式:021-50805260              联系方式: 021-51087308*8103 / 8666
联系邮箱:yjx@sica.org.cn             联系邮箱: cally_zhang@fxmc.com / connie_li@fxmc.com

 
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